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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
35
5
?55
?20
15 ?40Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. (W?CDMA)
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
10 15 20 25 30 35 40 45
30 ?25f2 = 2145 MHz, 2?Carrier W?CDMA, 10 MHzCarrier Spacing, 3.84 MHz Channel
25 ?30Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%Probability (CCDF)
IM3
20 ?35
10 ?45
5 ?50
ηD
η
D
,
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
220
109
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
107
106
120 140 160 180 200
MTTF FACTOR (HOURS x AMPS )
2
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2135 MHz
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
PROBABILITY (%)
10
1
0.1
0.01
0.001
?25 2551510
20
0
?5
?10
?15
?20
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
?110
?120
?70
?20
?80
?60
?50
(dB)
?90
?100
?40
?30
3.84 MHz
Channel BW
?IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
?ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
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